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            晶体管电阻焊接相关文献

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              • 作者:王帅华,
              • 专利类型:实用新型
              • 2020年
              摘要:本实用新型公开了一种电阻焊接晶体管焊接电源,包括焊接控制???、电流变换???、存储???、阵列式模组化放电???,所述焊接控制??橥ü呃路直鹩氲缌鞅浠荒??、存储???、阵列式模组化放电??橥ㄐ帕?;所述电流变换??橥ü呃掠氪娲⒛?橥ㄐ帕?,存储??橥ü呃掠胝罅惺侥W榛诺缒?橥ㄐ帕?。本实用新型通过大规模阵列式模组化放电??榈挠τ?,代替业界常用的芯片焊接式放电???,在特有的焊接控制??槿碛布目刂葡?,开始或停止焊接放电,具有较高频率触发、响应速度快、多通道同时放电、结构简单、体积小、环保和适用范围广等优点。并联式、多通道??楦屎洗笮」β实燃杜渲玫?font color="red">焊接电源的组合和集成。
            • 摘要:本发明公开了一种晶体管电阻焊电源的焊接波形控制方法,所述晶体管电阻焊电源的拓扑结构包括:主控???,所述主控??榉⒊霾ㄐ慰刂菩藕?;晶体管组,所述晶体管组接收所述波形控制信号;焊接能量池,所述焊接能量池与所述晶体管组连接,所述焊接能量池内蓄有电能;微点焊头,所述微点焊头与所述焊接能量池连接,所述晶体管组从所述焊接能量池传输所述电能至所述微点焊头,所述微点焊头接收所述电能并产生焊接能量以加热焊接待焊工件。该晶体管电阻焊电源可以由晶体管组接收主控??榉⒊龅牟ㄐ慰刂菩藕?,晶体管组从焊接能量池传输电能至微点焊头,在微点焊头的毫欧级阻抗尖端产生百微秒级响应的低电压高电流放电电能。
            • 摘要:本发明提供一种晶体管电阻焊接电源系统及其控制方法,晶体管电阻焊接电源系统包括:主控???,用于控制电容充电、输出放电、通信、IO端口以及故障诊断;电容充电???,与所述主控??榱忧矣糜诙缘缛莩涞?;放电驱动???,与所述主控??榱忧矣糜谑涑龅缌?;通信???,与所述主控??榱?,所述通信??榻邮绽醋运鲋骺啬?榈氖菔淙氩⑾蛩鲋骺啬?榉⑺褪菔涑?;输入输出???,与所述主控??榱?,所述输入输出??橥獠靠刂菩藕诺氖淙胍约跋低承藕诺氖涑?。根据本发明实施例的晶体管电阻焊接电源系统,使用简单、响应速度快,采用电压、电流闭环控制,能够使输出能量保持高稳定度。
              • 作者:丁旭,
              • 专利类型:实用新型
              • 2019年
              摘要:本实用新型提供一种晶体管电阻焊接机,涉及电阻焊机技术领域。实现了通过人机交互系统实现了运算速度快,操作方便的效果。该晶体管电阻焊接机,包括清洁装置和数控装置,数控装置位于清洁装置的内部,清洁装置包括触摸屏玻璃,触摸屏玻璃的正前方固定安装有滑槽块。该晶体管电阻焊接机,控制器由稳压单元、震荡回路组成,显示触摸屏由供电单元、通讯回路等组成,用户通过触摸显示触摸屏输入数据后,控制器通过模拟算法计算出输出波形图,通过通讯回路反馈到显示触摸屏上直观显示出来,32位MCU控制单元具有运算速度快的优点,通过驱动电机带动清洁轴在触摸屏玻璃上转动,清洁轴底部的驱动滚轮在滑槽块的内部滚动。
              • 作者:姚金才,
              • 专利类型:实用新型
              • 2019年
              摘要:本申请提供一种降低导通电阻且提高焊接质量的VDMOS晶体管,所述衬底的底面均匀分布有若干凹槽,所述漏极裹覆在衬底的底面且分别与衬底的底面以及凹槽内壁贴紧,缩短了阱区和漏极之间的距离。当沟道开启后,电子由阱区经沟道、外延层、衬底流向漏极。本实用新型的VDMOS晶体管有利于降低导体电阻和导通压降、提高漏极电流。并且衬底的底面的凹槽结构有利于芯片封装焊接焊接层的厚度均匀性,最终提高封装成品率及最终产品的可靠性。
            • 摘要:本发明公开了一种晶体管电阻焊电源及其焊接波形控制方法,所述晶体管电阻焊电源的拓扑结构包括:主控???,所述主控??榉⒊霾ㄐ慰刂菩藕?;晶体管组,所述晶体管组接收所述波形控制信号;焊接能量池,所述焊接能量池与所述晶体管组连接,所述焊接能量池内蓄有电能;微点焊头,所述微点焊头与所述焊接能量池连接,所述晶体管组从所述焊接能量池传输所述电能至所述微点焊头,所述微点焊头接收所述电能并产生焊接能量以加热焊接待焊工件。该晶体管电阻焊电源可以由晶体管组接收主控??榉⒊龅牟ㄐ慰刂菩藕?,晶体管组从焊接能量池传输电能至微点焊头,在微点焊头的毫欧级阻抗尖端产生百微秒级响应的低电压高电流放电电能。
            • 摘要:为解决精密电阻焊过程中接触电阻变化范围大且难以预估,并由此产生焊接飞溅、虚焊等焊接质量不良的问题,设计了一种晶体管电阻点焊电源及复合控制模式.主要介绍了晶体管式电源的主电路结构、工作原理、以dsPIC33FJ64GS610为核心的控制系统及复合控制方法.电源输出采用MOSFET开关100 kHz斩波控制,最大输出电流4000 A,能够对电压、电流反馈快速响应.复合控制模式将恒压控制与恒流控制相结合,焊接初期采用电压反馈控制适应接触电阻的变化,在短时间内降低电阻焊过程中的不确定因素,后期利用恒流模式焊接,保证焊点发热.实验结果表明,针对初期接触电阻差异大的工件结构,复合控制模式能够有效提高其焊接稳定性.
            • 摘要:本发明公开一种基于晶体管电阻结构及其制作方法,其中方法包括如下步骤:在具有栅极金属、源极金属、漏极金属、第一层氮化物以及第一层金属连线的器件上沉积第二层氮化物;对源极金属、漏极金属位置的第二层氮化物进行蚀刻开口;沉积平坦化层,对源极金属、漏极金属位置的平坦化层进行蚀刻开口;沉积第二层金属,使得第二层金属连接源极第一层金属和漏极第一层金属。本技术方案具有如下优点:优点1:省去了现有制备高值电阻的工艺步骤,可有效降低制造成本,同时因工艺步骤减少可在一定程度上提高制程稳定性。优点2:制备出高值的电阻占用外延面积较小。
            • 摘要:本发明公开一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法,该氮化镓晶体管包括硅衬底;依次设于衬底上的氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层;与铝镓氮势垒层相接触的源极和漏极;设于铝镓氮势垒层上除源极漏极以外区域的钝化层;刻蚀掉栅下的钝化层和部分栅下铝镓氮势垒层后形成凹槽结构的栅极。栅极第一层为p型氧化钛,第二层为金属层,p型氧化钛作为栅介质,使得零栅压时耗尽栅极下方的二维电子气,实现增强型的金属绝缘体半导体场效应晶体管结构,同时具有较低的漏电和较高的击穿电压。
            • 摘要:一种互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管可包括第一半导体结构和位于第一半导体结构上的栅极堆叠。栅极堆叠可包括位于第一半导体结构上的栅极介电层、位于栅极介电层上的功函材料和位于栅极堆叠的功函材料上的栅极金属填充材料。栅极金属填充材料可包括低电阻率碳合金。介电填充材料可包括在栅极堆叠上。
            • 摘要:本发明题为“用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻”。本发明提供了一种半导体晶体管器件,该半导体晶体管器件包括GaN晶体管,该GaN晶体管包括漏极、栅极和源极,GaN晶体管具有驱动电压,该驱动电压施加在栅极和源极两端,并且被配置为在与GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换。半导体晶体管器件还包括可变栅极?源极电阻器,该可变栅极?源极电阻器连接在栅极和源极之间并具有可变电阻,该可变电阻响应于驱动电压当在GaN晶体管的导通状态和关断状态之间切换时的变化而改变。
            • 摘要:本发明涉及一种内建有分流电阻和功率晶体管的马达控制装置,包括一高导热基板;一导热设置于高导热基板的导电回路,包括彼此间隔设置的一第一导热接垫部和一第二导热接垫部;一导接于导电回路的高功率晶体管;及一导接至高功率晶体管的分流电阻,分别具有一热膨胀系数大于高导热基板的本体,以及一对由本体延伸的焊接部,其中本体具有一个预定宽度,且焊接部的宽度大于预定宽度,以及本体是和高导热基板相间隔设置,使得当焊接部被焊接至第一导热接垫部和第二导热接垫部时,在宽度方向上分散承担本体和高导热基板间的受热膨胀应力。
            • 摘要:本文公开了低电阻场效应晶体管及其制造方法。本文公开的示例场效应晶体管包括衬底和衬底上方的堆叠体。该堆叠体包括绝缘体和栅电极。该示例场效应晶体管包括堆叠体的腔体中的半导体材料层。在示例场效应晶体管中,半导体材料层的邻近绝缘体的区域掺杂有绝缘体的材料。
            • 摘要:本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括:第一铁磁绝缘层;设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层;以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括:第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域,其每个由铁磁材料形成,其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成;第一反铁磁区域,位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间,由反铁磁材料形成;第二反铁磁区域,位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间,由反铁磁材料形成;以及栅极,覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
            • 摘要:本发明公开了一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法,包括步骤:步骤一、测试得到场效应晶体管线性区的漏极电流和栅压的绝对值形成的第一电学特性曲线,提取线性区阈值电压;步骤二、在高栅压区选取多个采样点,计算各采样点对应的栅压与线性区阈值电压的差值绝对值的倒数并作为第一参数;步骤三、计算各采样点的漏极电压和漏极电流的比值并作为总电阻;步骤四、根据各采样点的第一参数和总电阻形成第二关系曲线;步骤五、将第二关系曲线外延并与纵轴相交,将截距作为源漏电阻。本发明能针对单个晶体管提取源漏电阻,适用于沟道均匀或不均匀掺杂的场效应晶体管,即节省了测试面积,又提高了测试速度,而且提高了电阻提取精度。
            • 摘要:本发明的实施例涉及具有可控电阻的半导体器件的方法和所得结构。形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。
            • 摘要:一种固定晶体管焊接高度的定位装置,涉及一种定位装置,包括晶体管固定块和台阶块,在晶体管固定块的一侧设有向下延伸的台阶块,台阶块与晶体管固定块垂直设置,在晶体管固定块的上面设有至少一个通孔,在晶体管固定块的下面设有至少两个螺纹孔;本实用新型结构简单、起到固定晶体管高度的作用,在焊接晶体管时其定位高度精确无误差,又便于操作安装,提高生产效率。
              • 作者:刘道国,
              • 专利类型:实用新型
              • 2020年
              摘要:本实用新型公开了一种低输入电阻功率半导体晶体管,包括半导体晶体管上管S1和半导体晶体管下管S2,所述半导体晶体管上管S1包括门极G、发射极E、N发射极和P
            • 摘要:本实用新型公开了一种高精度数字晶体管电阻测试装置,涉及晶体管电阻测试领域,为解决现有技术中测试装置在测试时,晶体管容易松动,不利于测试过程的进行,同时测试的精确度不高的问题。所述外壳体的内部底端设置有充电电池,所述充电电池的一侧设置有充电电池连接器,所述充电电池的上方设置有安装板,所述安装板的上端外表面上设置有计算中心,所述计算中心包含有读取???、计算???、显示???,所述计算中心的一侧设置有数字电流表,所述数字电流表的一侧设置有数字电压表,所述数字电压表的一侧设置有检测口,所述检测口的内部设置有晶体管连接座,所述检测口的内部设置有两个锁舌,所述锁舌的一端设置有弹簧。
              • 作者:李洁玲,
              • 专利类型:实用新型
              • 2020年
              摘要:本实用新型公开了一种晶体管生产用零件焊接夹持装置,包括角度调节组件和夹持组件,所述支架的侧壁焊接有钢丝绳索,所述支架的顶部设有第一液压缸,所述第一液压缸的缸筒左侧壁设有第二液压缸,所述第一液压缸的缸筒右侧壁设有第三液压缸,所述底座的外壁顶部两侧分别设有第一夹块和第二夹块,所述第一夹块和第二夹块之间连接有调节杆,所述底座的上方设有螺纹杆,所述底座的内腔设有滑杆,所述滑杆的两侧分别设有第一滑块和第二滑块。本实用新型通过角度调节组件的设计使得本实用新型能够进行工作角度的调整和转动,结构简单,成本低,第一夹块、第二夹块、调节杆和螺纹杆的设计,使操作者能够更加省力的使用夹持装置夹取物体。

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