"

欢迎来到亚博yabo24_官网首页(yabovip6666.cn)全新升级娱乐网站。亚博yabo24_官网首页综合各种在线游戏于一站式的大型游戏平台,经营多年一直为大家提供安全稳定的游戏环境,亚博yabo24_官网首页致力于提供全球客户有价值的游戏，为用户提供优质服务。

<thead id="rfprx"><var id="rfprx"><output id="rfprx"></output></var></thead>

<form id="rfprx"></form>
<address id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></address>

<sub id="rfprx"><var id="rfprx"></var></sub>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></sub><form id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></form>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><ins id="rfprx"></ins></dfn></sub>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><ins id="rfprx"></ins></dfn></sub>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><ins id="rfprx"></ins></dfn></sub>

<address id="rfprx"><listing id="rfprx"><ins id="rfprx"></ins></listing></address>

<address id="rfprx"><dfn id="rfprx"><output id="rfprx"></output></dfn></address>

<address id="rfprx"><var id="rfprx"></var></address>

<address id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></address>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><output id="rfprx"></output></dfn></sub><form id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></form>

<thead id="rfprx"><var id="rfprx"><output id="rfprx"></output></var></thead>

<thead id="rfprx"><var id="rfprx"><output id="rfprx"></output></var></thead>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><output id="rfprx"></output></dfn></sub>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></sub>

<sub id="rfprx"><var id="rfprx"></var></sub>

"

掌桥科研一站式科研服务平台

您现在的位置：首页>外文期刊>Journal of Crystal Growth

fengmian

Journal of Crystal Growth SCIEICA

中文名称：晶体生长杂志

ISSN：0022-0248
出版周期：1.534

期刊论文

年度选择

2014
2013
2012
- 第C期
- 第C期
- 第C期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第2012SPECa期
2011
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
2010
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12a13期
- 第14期
- 第15期
- 第16a17期
- 第18期
- 第19期
- 第20期
- 第21期
- 第22期
- 第23期
- 第24期
2009
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
- 第13期
- 第14期
- 第15期
- 第16期
- 第17期
- 第18期
- 第19期
- 第20期
- 第21期
- 第22期
- 第23a24期
2008
- 第1期
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7a9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
- 第13期
- 第14期
- 第15期
- 第16期
- 第17期
- 第18期
- 第19期
- 第20期
- 第21期
- 第22期
- 第23期
- 第24期
2007
- 第Jan期
- 第Apr期
- 第Apr期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
2006
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第1期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
- 第2期
2005
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第1a4期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第2a4期
- 第2a4期
- 第3a4期
- 第3期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第4期
2004
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第1a3期
- 第1a2期
- 第1期
- 第1a2期
- 第1a3期
- 第1a4期
- 第2a3期
- 第2a4期
- 第2a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第4期
- 第4期
- 第4期
2003
- 第Feb期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第1a3期
- 第1a4期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第3a4期
- 第3期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第4期
- 第4期
2002
- 第Parta2期
- 第1期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1期
- 第1a2期
- 第1a3期
- 第1a4期
- 第2期
- 第2a3期
- 第3期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第4期
- 第4期
- 第4期
2001
- 第1a2期
- 第1期
- 第1期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第2a3期
- 第2a4期
- 第3期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3期
- 第3期
- 第3期
- 第4期
- 第4期
- 第4期
- 第4期
- 第4期
2000
- 第1a2期
- 第1a2期
- 第1期
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第1a2期
- 第1a4期
- 第1a2期
- 第1期
- 第1a4期
- 第1a3期
- 第2a4期
- 第2a3期
- 第3a4期
- 第3a4期
- 第3期
- 第3期
- 第3期
- 第4期
- 第4期
- 第4期
- 第4期
- 第4期

更多>>

全?。?span>0）

1.
【24h】 Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy

包量

机译金属有机气相外延生长的δ掺杂GaAs的微光致发光研究
- 作者：Y. Endo,K. Tanioka,Y. Hijikata,H. Yaguchi,S. Yoshida,M. Yoshita,H. Akiyama,W. Ono,F. Nakajima,R. Katayama,K. Onabe
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
2.
【24h】 Growth and characterization of BGaAs and BInGaAs epilayers on GaAs by MOVPE

包量

机译 MOVPE在GaAs上生长和表征BGaAs和BInGaAs外延层
- 作者：Philippe Rodriguez,Laurent Auvray,Herve Dumont,Jacques Dazord,Yves Monteil
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
3.
【24h】 Selective area etching of InP with CBr_4 in MOVPE

包量

机译在MOVPE中用CBr_4进行InP的选择性区域蚀刻
- 作者：C. Ebert,J. Levkoff,J. Roberts,J. Seiler,C. Wanamaker,T. Pinnington
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
4.
【24h】 Morphology of interior interfaces in the novel dilute nitride Ga(NAsP)/GaP material system

包量

机译新型稀氮化镓Ga（NAsP）/ GaP材料系统的内部界面形态
- 作者：S. Oberhoff,B. Kunert,T. Torunski,K. Volz,W. Stolz
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
5.
【24h】 MOVPE growth and optical characterization of GaPN films using tertiarybutylphosphine (TBP) and 1,1-dimethylhydrazine (DMHy)

包量

机译使用叔丁基膦（TBP）和1,1-二甲基肼（DMHy）的GaPN膜的MOVPE生长和光学表征
- 作者：F. Nakajima,W. Ono,S. Kuboya,R. Katayama,K. Onabe
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
6.
【24h】 Correlation between Raman intensity of the N-related local vibrational mode and N content in GaAsN strained layers grown by MOVPE

包量

机译 MOVPE生长的GaAsN应变层中N相关局部振动模的拉曼强度与N含量的相关性
- 作者：P. Panpech,S. Vijarnwannaluk,S. Sanorpim,W. Ono,F. Nakajima,R. Katayama,K. Onabe
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
7.
【24h】 MOVPE growth conditions of the novel direct band gap, diluted nitride Ga(NAsP) material system pseudomorphically strained on GaP-substrate

包量

机译 GaP衬底上拟态应变的新型直接带隙，稀释氮化物Ga（NAsP）材料系统的MOVPE生长条件
- 作者：B. Kunert,K. Volz,J. Koch,W. Stolz
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
8.
【24h】 Substrate-surface orientation dependence of N content in MOVPE growth of GaAsN films on GaAs

包量

机译 GaAsN薄膜在GaAs上MOVPE生长中N含量对衬底表面取向的依赖性
- 作者：W. Ono,F. Nakajima,S. Sanorpim,R. Katayama,K. Onabe
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
9.
【24h】 Optical investigations on the surfactant effects of Sb on InGaAsN multiple quantum wells grown by MOVPE

包量

机译 Sb对MOVPE生长的InGaAsN多量子阱表面活性剂作用的光学研究
- 作者：W.C. Chen,Y.K. Su,R.W. Chuang,M.C. Tsai,K.Y. Cheng,Y.S. Wang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
10.
【24h】 Growth of strained GaAs_(1-y)Sb_y layers using metalorganic vapor phase epitaxy

包量

机译金属有机气相外延生长应变GaAs_（1-y）Sb_y层
- 作者：A.A. Khandekar,J.Y. Yeh,L.J. Mawst,Xueyan Song,S.E. Babcock,T.F. Kuech
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
11.
【24h】 Electrical properties of undoped and doped MOVPE-grown InAsSb

包量

机译未掺杂和掺杂的MOVPE生长的InAsSb的电性能
- 作者：T. Krug,L. Botha,P. Shamba,T.R. Baisitse,A. Venter,J.A.A. Engelbrecht,J.R. Botha
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
12.
【24h】 Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical

包量

机译起泡器，用于恒定蒸汽输送固体化学品
- 作者：C.L. Andre,N. El-Zein,N. Tran
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
13.
【24h】 Safer alternative liquid germanium precursors for relaxed graded SiGe layers and strained silicon by MOVPE

包量

机译用于MOVPE的梯度梯度SiGe层和应变硅的更安全的替代液体锗前驱体
- 作者：Deo V. Shenai,Ronald L. DiCarlo Jr,Michael B. Power,Artashes Amamchyan,Randall J. Goyette,Egbert Woelk
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
14.
【24h】 Cross-sectional spatially resolved cathodoluminescence study of cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on free-standing (001) 3C-SiC and GaAs substrates

包量

机译金属有机气相外延在独立（001）3C-SiC和GaAs衬底上生长的立方GaN膜的截面空间分辨阴极发光研究
- 作者：T. Onuma,T. Nozaka,H. Yamaguchi,T. Suzuki,S.F. Chichibu
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
15.
【24h】 Growth optimization during Ⅲ-nitride multiwafer MOVPE using realtime curvature, reflectance and true temperature measurements

包量

机译利用实时曲率，反射率和真实温度测量优化Ⅲ型氮化物多晶片MOVPE中的生长
- 作者：F. Brunner, V. Hoffmann, A. Knauer, E. Steimetz, T. Schenk, J.-T. Zettler, M. Weyers
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
16.
【24h】 Mg doping in (1101)GaN grown on a 7° off-axis (00 1)Si substrate by selective MOVPE

包量

机译通过选择性MOVPE在7°离轴（00 1）Si衬底上生长的（1101）GaN中的Mg掺杂
- 作者：Toshiki Hikosaka, Norikatsu Koide, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
17.
【24h】 High-speed growth of AlGaN having high-crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE

包量

机译通过高温MOVPE高速生长具有高结晶质量和光滑表面的AlGaN
- 作者：N. Kato,S. Sato,T. Sumii,N. Fujimoto,N. Okada,M. Imura,K. Balakrishnan,M. Iwaya,S. Kamiyama,H. Amano,I. Akasaki,H. Maruyama,T. Noro,T. Takagi,A. Bandoh
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
18.
【24h】 Growth and characterization of 380-nm InGaN/AlGaN LEDs grown on patterned sapphire substrates

包量

机译在图案化蓝宝石衬底上生长的380 nm InGaN / AlGaN LED的生长和特性
- 作者：R.H. Horng,W.K. Wang,S.C. Huang,S.Y. Huang,S.H. Lin,C.F. Lin,D.S. Wuu
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
19.
【24h】 Effect of low-temperature GaN buffer layer on the crystalline quality of subsequent GaN layers grown by MOVPE

包量

机译低温GaN缓冲层对MOVPE生长的后续GaN层晶体质量的影响
- 作者：K. Hoshino,N. Yanagita,M. Araki,K. Tadatomo
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
20.
【24h】 In situ X-ray diffraction during MOCVD of Ill-nitrides: An optimized wobbling compensating evaluation algorithm

包量

机译氮化物MOCVD过程中的原位X射线衍射：一种优化的摆动补偿评估算法
- 作者：C. Simbrunner, K. Schmidegg, A. Bonanni, A. Kharchenko, J. Bethke, J. Woitok, K. Lischka, H. Sitter
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
21.
【24h】 Kinetics of persistent photoconductivity in InGaN epitaxial films grown by MOCVD

包量

机译 MOCVD生长的InGaN外延膜中持久光电导的动力学
- 作者：H. Hung,C.H. Chen,S.J. Chang,H. Kuan,R.M. Lin,C.H. Liu
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
22.
【24h】 Room temperature ferromagnetism of GaN:Mn thin films grown by low pressure metal-organic chemical vapor deposition by mn periodic delta-doping

包量

机译 mn周期性δ掺杂低压金属有机化学气相沉积法生长的GaN：Mn薄膜的室温铁磁性
- 作者：Z.T. Chen,Y.Y. Su,Z.J. Yang,B. Zhang,K. Xu,X.L. Yang,Y.B. Pan,G.Y. Zhang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
23.
【24h】 Epitaxial lateral overgrowth of Al_xGa_(1-x)N (x > 0.2) on sapphire and its application to UV-B-light-emitting devices

包量

机译蓝宝石上Al_xGa_（1-x）N（x> 0.2）的外延横向过度生长及其在UV-B发光器件中的应用
- 作者：Kazuyoshi Iida,Takeshi Kawashima,Motoaki Iwaya,Satoshi Kamiyama,Hiroshi Amano,Isamu Akasaki,Akira Bandoh
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
24.
【24h】 Growth of low dislocation density GaN using transition metal nitride masking layers

包量

机译使用过渡金属氮化物掩模层生长低位错密度GaN
- 作者：M.A. Moram,M.J. Kappers,Z.H. Barber,C.J. Humphreys
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
25.
【24h】 Reduction of threading dislocation density in epilayers by a multistep technique

包量

机译通过多步技术降低外延层中的穿线位错密度
- 作者：T. Lang, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Toerma, M. Sopanen, H. Lipsanen
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
26.
【24h】 Microstructure in nonpolar m-plane GaN and AlGaN films

包量

机译非极性m面GaN和AlGaN膜的微观结构
- 作者：T. Nagai,T. Kawashima,M. Imura,M. Iwaya,S. Kamiyama,H. Amano,I. Akasaki
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
27.
【24h】 Large misorientation of GaN films grown on r-plane sapphire substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy

包量

机译通过金属有机气相外延在r面蓝宝石衬底上生长的GaN膜的大方向失调
- 作者：Kazuhide Kusakabe,Shizutoshi Ando,Kazuhiro Ohkawa
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
28.
【24h】 Al_(0.17)Ga_(0.83)N film with middle temperature-intermediate layer grown on trenched sapphire substrate by MOCVD

包量

机译通过MOCVD在沟槽蓝宝石衬底上生长具有中间温度中间层的Al_（0.17）Ga_（0.83）N膜
- 作者：Kazuhide Sumiyoshi,Masashi Tsukihara,Ken Kataoka,Shuichi Kawamichi,Tadashi Okimoto,Katsushi Nishino,Yoshiki Naoi,Shiro Sakai
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
29.
【24h】 Investigation of surface defect structure originating in dislocations in AlGaN/GaN epitaxial layer grown on a Si substrate

包量

机译 Si衬底上生长的AlGaN / GaN外延层中的位错引起的表面缺陷结构的研究
- 作者：Hitoshi Sasaki,Sadahiro Kato,Takeyoshi Matsuda,Yoshihiro Sato,Masayuki Iwami,Seikoh Yoshida
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
30.
【24h】 BGaN materials on GaN/sapphire substrate by MOVPE using N_2 carrier gas

包量

机译使用N_2载气通过MOVPE在GaN /蓝宝石衬底上的BGaN材料
- 作者：A. Ougazzaden,S. Gautier,C. Sartel,N. Maloufi,J. Martin,F. Jomard
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
31.
【24h】 Hexagonal boron nitride on Ni (1 1 1) substrate grown by flow-rate modulation epitaxy

包量

机译流量调制外延在Ni（1 1 1）衬底上生长六方氮化硼
- 作者：Y. Kobayashi, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
32.
【24h】 Growth of A1N by vectored flow epitaxy

包量

机译向量流外延法生长AlN
- 作者：A.J. Clayton, A.A. Khandekar, T.F. Kuech, N.J. Mason, M.F. Robinson, S. Watkins, Y. Guo
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
33.
【24h】 Improvement of crystal quality of AlN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AlN/GaN) multi-buffer layer

包量

机译通过控制（AlN / GaN）多缓冲层的应变来改善AlN和AlGaN外延层的晶体质量
- 作者：E. Niikura,K. Murakawa,F. Hasegawa,H. Kawanishi
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
34.
【24h】 Effect of AlN interlayer on incorporation efficiency of Al composition in AlGaN grown by MOVPE

包量

机译 AlN中间层对MOVPE生长AlGaN中Al组分掺入效率的影响
- 作者：Z.X. Qin,H.J. Luo,Z.Z. Chen,T.J. Yu,Z.J. Yang,K. Xu,G.Y. Zhang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
35.
【24h】 Aluminum incorporation in Al_xGa_(1-x)N-layers and implications for growth optimization

包量

机译 Al_xGa_（1-x）N层中铝的掺入及其对生长优化的影响
- 作者：U. Rossow,D. Fuhrmann,T. Litte,T. Retzlaff,L. Hoffmann,H. Bremers,A. Hangleiter
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
36.
【24h】 Electrical and optical properties of MOVPE InN doped with Mg using CP_2Mg

包量

机译使用CP_2Mg掺杂Mg的MOVPE InN的电学和光学性质
- 作者：A. Yamamoto,Y. Nagai,H. Niwa,H. Miwa,A. Hashimoto
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
37.
【24h】 Influence of the reactor inlet configuration on the AlGaN growth efficiency

包量

机译反应器入口结构对AlGaN生长效率的影响
- 作者：E.V. Yakovlev,R.A. Talalaev,N. Kaluza,H. Hardtdegen,H.L. Bay
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
38.
【24h】 An inverse-flow showerhead MOVPE reactor design

包量

机译逆流喷头MOVPE反应器设计
- 作者：Ran Zuo,Qian Xu,Hong Zhang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
39.
【24h】 Effects of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethylaminophosphorus

包量

机译三态二甲基氨基磷对大气MOVPE中ZnTe光致发光和电学性质的影响
- 作者：Tooru Tanaka,Mitsuhiro Nishio,Kazuki Hayashida,Kenji Fujimoto,Qixin Guo,Hiroshi Ogawa
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
40.
【24h】 Atomic layer deposition of epitaxial ZnO on GaN and YSZ

包量

机译 GaN和YSZ上外延ZnO的原子层沉积
- 作者：Chih-Wei Lin,Dong-Jie Ke,Yen-Cheng Chao,Li Chang,Mei-Hui Liang,Yen-Teng Ho
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
41.
【24h】 Single-phase Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3 thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition: Effects of growth sequence and substrates

包量

机译金属有机化学气相沉积法制备单相Pb（Zn_（1/3）Nb_（2/3））O_3薄膜：生长顺序和衬底的影响
- 作者：Ken Nishida,Shintaro Yokoyama,Satoshi Okamoto,Keisuke Saito,Hiroshi Uchida,Seiichiro Koda,Takashi Katoda,Hiroshi Funakubo
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
42.
【24h】 Optical and micro-structural properties of high photoluminescence efficiency InGaN/AlInGaN quantum well structures

包量

机译高光致发光效率InGaN / AlInGaN量子阱结构的光学和微结构特性
- 作者：D. Zhu,M.J. Kappers,C. McAleese,D.M. Graham,G.R. Chabrol,N.P. Hylton,P. Dawson,E.J. Thrush,C.J. Humphreys
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
43.
【24h】 MOVPE growth of InGaN/GaN multiple quantum wells for the blue laser diode applications

包量

机译用于蓝色激光二极管应用的InGaN / GaN多量子阱的MOVPE生长
- 作者：A.T. Cheng,Y.K. Su,W.C. Lai
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
44.
【24h】 Flat-band potentials of GaN and InGaN/GaN QWs by bias-dependent photoluminescence in electrolyte solution

包量

机译电解质溶液中依赖于偏置的光致发光的GaN和InGaN / GaN QW的平带电势
- 作者：Naoki Kobayashi,Ryusuke Morita,Toru Narumi,Jun Yamamoto,Yuzaburo Ban,Kiyohide Wakao
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
45.
【24h】 The influence of internal electric fields on the transition energy of InGaN/gaN quantum well

包量

机译内部电场对InGaN / gaN量子阱跃迁能的影响
- 作者：Lunchun Guo,Xiaoliang Wang,Hongling Xiao,Baozhu Wang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
46.
【24h】 Spectroscopic investigations of MOVPE-grown InGaAs/GaAs quantum wells with low and high built-in strain

包量

机译 MOVPE生长的InGaAs / GaAs量子阱的高低内在应变的光谱研究
- 作者：T.K. Sharma,S.D. Singh,S. Porwal,A.K. Nath
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
47.
【24h】 Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE

包量

机译 MOVPE生长的InGaPN / GaP晶格匹配单量子阱结构的光致发光和激发光光谱
- 作者：Dares Kaewket,Sukkaneste Tungasmita,Sakuntam Sanorpim,Fumihiro Nakajima,Nobuhiro Nakadan,Tokuharu Kimura,Ryuji Katayama,Kentaro Onabe
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
48.
【24h】 Optical characterization of improvement of carrier localization in InGaAsN/GaAs single quantum wells by addition of Sb flux to interfaces

包量

机译通过在界面中添加Sb通量来改善InGaAsN / GaAs单量子阱中载流子定位的光学特性
- 作者：Y. Iguchi,T. Ishizuka,T. Yamada,S. Takagishi,K. Nomura,M. Nakayama
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
49.
【24h】 MOVPE and characterization of InAsN/GaAs multiple quantum wells

包量

机译 MOVPE和InAsN / GaAs多量子阱的表征
- 作者：S. Kuboya,Q.T. Thieu,W. Ono,F. Nakajima,R. Katayama,K. Onabe
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
50.
【24h】 Stacking, polarization control, and lasing of wavelength tunable (1.55 μm region) InAs/InGaAsP/InP (1 00) quantum dots

包量

机译波长可调（1.55μm区域）InAs / InGaAsP / InP（1 00）量子点的堆叠，偏振控制和激光发射
- 作者：S. Anantathanasarn, R. Noetzel, P.J. van Veldhoven, F.W.M. van Otten, T.J. Eijkemans, Y. Barbarin, T. de Vries, E. Smalbrugge, E.J. Geluk, E.A.J.M. Bente, Y.S. Oei, M.K. Smit, J.H. Wolter
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
51.
【24h】 Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures

包量

机译垂直相关结构中InAs / GaAs量子点的横向形状
- 作者：A. Hospodkova,V. Krapek,T. Mates,K. Kuldova,J. Pangrac,E. Hulicius,J. Oswald,K. Melichar,J. Humlicek,T. Simecek
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
52.
【24h】 Wavelength elongation and improved emission efficiency of MOCVD-grown InAs quantum dots by GaNAs buffer layer

包量

机译 GaNAs缓冲层的MOCVD生长的InAs量子点的波长延长和提高的发射效率
- 作者：R. Suzuki,T. Miyamoto,F. Koyama
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
53.
【24h】 Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs

包量

机译 InGaAs过量生长的MOVPE InAs / GaAs量子点的性质
- 作者：A. Hospodkova,E. Hulicius,J. Oswald,J. Pangrac,T. Mates,K. Kuldova,K. Melichar,T. Simecek
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
54.
【24h】 MOCVD of InGaAs/GaAs quantum dots for lasers emitting close to 1.3 μm

包量

机译 InGaAs / GaAs量子点的MOCVD用于发射近1.3μm的激光器
- 作者：T.D. Germann,A. Strittmatter,Th. Kettler,K. Posilovic,U.W. Pohl,D. Bimberg
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
55.
【24h】 Red to green photoluminescence of InP-quantum dots in Al_xGa_(1-x)InP

包量

机译 Al_xGa_（1-x）InP中InP量子点的红色至绿色光致发光
- 作者：R. Rossbach,W.M. Schulz,M. Reischle,G.J. Beirne,M. Jetter,P. Michler
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
56.
【24h】 Mechanism of catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective area MOVPE

包量

机译选择性区域MOVPE无催化剂生长GaAs纳米线的机理
- 作者：Keitaro Ikejiri,Jinichiro Noborisaka,Shinjiroh Hara,Junichi Motohisa,Takashi Fukui
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
57.
【24h】 GaAs nanowires grown by Au-catalyst-assisted MOVPE using tertiarybutylarsine as group-Ⅴ precursor

包量

机译叔丁基ar为Ⅴ族前体的金催化MOVPE生长的GaAs纳米线
- 作者：P. Paiano,P. Prete,E. Speiser,N. Lovergine,W. Richter,L. Tapfer,A.M. Mancini
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
58.
【24h】 InAs nanowires grown by MOVPE

包量

机译 MOVPE生长的InAs纳米线
- 作者：Kimberly A. Dick,Knut Deppert,Lars Samuelson,Werner Seifert
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
59.
【24h】 The structure of B oriented GaP nanowires

包量

机译 <1 1 1> B取向的GaP纳米线的结构
- 作者：Jonas Johansson, Lisa S. Karlsson, C. Patrik T. Svensson, Thomas Martensson, Brent A. Wacaser, Knut Deppert, Lars Samuelson, Werner Seifert
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
60.
【24h】 Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection

包量

机译通过选择前驱物来提高深紫外LED的功率
- 作者：C. Moe,T. Onuma,K. Vampola,N. Fellows,H. Masui,S. Newman,S. Keller,S.F. Chichibu,S.P. DenBaars,D. Emerson
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
61.
【24h】 Influences of laser lift-off process on the performances of large-area light-emitting diodes

包量

机译激光剥离工艺对大面积发光二极管性能的影响
- 作者：C.Y. Hu,X.N. Kang,H. Fang,T. Dai,M.J. Wang,Z.X. Qin,Z.Z. Chen,H. Yang,B. Shen,G.Y. Zhang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
62.
【24h】 High brightness GaN vertical light emitting diodes on metal alloyed substrate for general lighting application

包量

机译用于一般照明应用的金属合金基板上的高亮度GaN垂直发光二极管
- 作者：Chuong Anh Tran,Chen-Fu Chu,Chao-Chen Cheng,Wen-Huan Liu,Jiunn-Yi Chu,Hao-Chun Cheng,Feng-Hsu Fan,Jui-Kang Yen,Trung Doan
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
63.
【24h】 The origins of double emission peaks in electroluminescence spectrum from InGaN/GaN MQW LED

包量

机译 InGaN / GaN MQW LED电致发光光谱中双发射峰的起源
- 作者：Z.Z. Chen,P. Liu,S.L. Qi,K. Xu,Z.X. Qin,Y.Z. Tong,T.J. Yu,X.D. Hu,G.Y. Zhang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
64.
【24h】 Integrated light-emitting diodes grown by MOVPE for flat panel displays

包量

机译 MOVPE生产的用于平板显示器的集成发光二极管
- 作者：Tohru Honda,Toshiaki Kobayashi,Shinichi Egawa,Masaru Sawada,Koichi Sugimoto,Taichi Baba
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
65.
【24h】 GaN UV photodetector by using transparency antimony-doped tin oxide electrode

包量

机译使用透明锑掺杂氧化锡电极的GaN UV光电探测器
- 作者：Ming-Lung Tu,Yan-Kuin Su,Shoou-Jinn Chang,Ricky W. Chuang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
66.
【24h】 Using MOVPE growth to generate tomorrow's solar electricity

包量

机译利用MOVPE的增长来产生明天的太阳能
- 作者：Sarah Kurtz,Daniel Friedman,John Geisz,William McMahon
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
67.
【24h】 Strain-balanced MQW pin solar cells grown using a robot-loading showerhead reactor

包量

机译使用自动加载的莲蓬头反应器生长的应变平衡MQW引脚太阳能电池
- 作者：J.S. Roberts,R. Airey,G. Hill,C. Calder,K.W.J. Barnham,M. Lynch,T. Tibbits,D. Johnson,A. Pakes,T. Grantham
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
68.
【24h】 Study of intrinsically carbon-doped AlGaAs layers for tunnel diodes in multi-junction solar cells

包量

机译多结太阳能电池隧道二极管本征碳掺杂AlGaAs层的研究
- 作者：Y. Mols,M.R. Leys,E. Simons,J. Poortmans,G. Borghs
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
69.
【24h】 On the development of high-efficiency thin-film GaAs and GaInP_2 cells

包量

机译高效薄膜GaAs和GaInP_2细胞的发展
- 作者：J. van Deelen,G.J. Bauhuis,J.J. Schermer,P. Mulder,E.J. Haverkamp,P.K. Larsen
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
70.
【24h】 Minority carrier diffusion lengths in MOVPE-grown n- and p-InGaN and performance of AlGaN/InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistors

包量

机译 MOVPE生长的n-和p-InGaN中的少数载流子扩散长度以及AlGaN / InGaN / GaN双异质结双极晶体管的性能
- 作者：K. Kumakura,T. Makimoto,N. Kobayashi,T. Hashizume,T. Fukui,H. Hasegawa
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
71.
【24h】 MOCVD-grown high-mobility Alo.3Gao.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate

包量

机译蓝宝石衬底上MOCVD生长的高迁移率Alo.3Gao.7N / AlN / GaN HEMT结构
- 作者：Xiaoliang Wang, Cuimei Wang, Guoxin Hu, Hongling Xiao, Cebao Fang, Junxi Wang, Junxue Ran, Jianping Li, Jinmin Li, Zhanguo Wang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
72.
【24h】 Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity GaN epilayer

包量

机译高阻GaN外延层中光电导的光猝灭研究
- 作者：Cebao Fang,Xiaoliang Wang,Hongling Xiao,Guoxin Hu,Cuimei Wang,Xiaoyan Wang,Jianping Li,Junxi Wang,Chengji Li,Yiping Zeng,Jinmin Li,Zanguo Wang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
73.
【24h】 Ohmic contact mechanism of Ni/Au contact to p-type GaN studied by Rutherford backscattering spectrometry

包量

机译卢瑟福背散射光谱法研究Ni / Au接触p型GaN的欧姆接触机理
- 作者：C.Y. Hu,Z.B. Ding,Z.X. Qin,Z.Z. Chen,K. Xu,Z.J. Yang,B. Shen,S.D. Yao,G.Y. Zhang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
74.
【24h】 Effect of growth conditions on electrical properties of Mg-doped p-GaN

包量

机译生长条件对掺Mg的p-GaN电学性能的影响
- 作者：O. Svensk,S. Suihkonen,T. Lang,H. Lipsanen,M. Sopanen,M.A. Odnoblyudov,V.E. Bougrov
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
75.
【24h】 Vertical conductivity of p-Al_xGa_(1-x)N/GaN superlattices measured with modified transmission line model

包量

机译用改进的传输线模型测量p-Al_xGa_（1-x）N / GaN超晶格的垂直电导率
- 作者：C.Y. Hu,Y.J. Wang,K. Xu,X.D. Hu,L.S. Yu,Z.J. Yang,B. Shen,G.Y. Zhang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
76.
【24h】 In situ epitaxial surface passivation of GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown by LP-MOCVD

包量

机译 LP-MOCVD生长的GaAlN / GaN HEMT异质结构的原位外延表面钝化
- 作者：M.-A. di Forte Poisson,N. Sarazin,M. Magis,M. Tordjman,E. Morvan,R. Aubry,J. di Persio,B. Grimbert
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
77.
【24h】 C-doped GaN buffer layers with high breakdown voltages for high-power operation AlGaN/GaN HFETs on 4-in Si substrates by MOVPE

包量

机译具有高击穿电压的C掺杂GaN缓冲层，用于通过MOVPE在4英寸Si衬底上进行大功率操作的AlGaN / GaN HFET
- 作者：Sadahiro Kato,Yoshihiro Satoh,Hitoshi Sasaki,Iwami Masayuki,Seikoh Yoshida
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
78.
【24h】 AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD

包量

机译通过MOCVD生长的具有高迁移率GaN薄层的AlGaN / AlN / GaN / SiC HEMT结构
- 作者：Xiaoliang Wang,Guoxin Hu,Zhiyong Ma,Junxue Ran,Cuimei Wang,Hongling Xiao,Jian Tang,Jianping Li,Junxi Wang,Yiping Zeng,Jinmin Li,Zhanguo Wang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
79.
【24h】 High current gain graded GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors grown on sapphire and SiC substrates by metalorganic chemical vapor deposition

包量

机译通过有机金属化学气相沉积在蓝宝石和SiC衬底上生长的高电流增益渐变GaN / InGaN异质结双极晶体管
- 作者：T. Chung,D.M. Keogh,J.-H. Ryou,D. Yoo,J. Limb,W. Lee,S.-C. Shen,P.M. Asbeck,R.D. Dupuis
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
80.
【24h】 InP buried growth of SiO_2 wires toward reduction of collector capacitance in HBT

包量

机译 SiO_2线的InP埋入式生长对降低HBT中集电极电容的作用
- 作者：Yasuyuki Miyamoto,Masashi Ishida,Tohru Yamamoto,Tsukasa Miura,Kazuhito Furuya
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
81.
【24h】 High-purity GaN epitaxial layers for power devices on low-dislocation-density GaN substrates

包量

机译低位错密度GaN衬底上用于功率器件的高纯度GaN外延层
- 作者：S. Hashimoto,Y. Yoshizumi,T. Tanabe,M. Kiyama
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
82.
【24h】 MOVPE growth optimization for laser diodes with highly strained InGaAs MQWs

包量

机译具有高应变InGaAs MQW的激光二极管的MOVPE生长优化
- 作者：F. Bugge,U. Zeimer,R. Staske,B. Sumpf,G. Erbert,M. Weyers
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
83.
【24h】 Evaluation of incorporation efficiency of group V source gases in metal organic chemical vapor deposition of GalnNAs for high quality 1.21 μm quantum-well ridge wave guide lasers

包量

机译高质量1.21μm量子阱脊波导激光在GalnNAs的金属有机化学气相沉积中V组源气体掺入效率的评估
- 作者：Mitsuhiro Kushibe, Rei Hashimoto, Mizunori Ezaki, Gen-ichi Hatakoshi, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
84.
【24h】 High-power red laser diodes grown by MOVPE

包量

机译 MOVPE生产的大功率红色激光二极管
- 作者：M. Zorn,H. Wenzel,U. Zeimer,B. Sumpf,G. Erbert,M. Weyers
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
85.
【24h】 Low current operation of GaN-based blue-violet laser diodes fabricated on sapphire substrate using high-temperature-grown single-crystal AlN buffer layer

包量

机译使用高温生长的单晶AlN缓冲层在蓝宝石衬底上制造的GaN基蓝紫色激光二极管的低电流操作
- 作者：Yasuo Ohba,Toru Gotoda,Kei Kaneko
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
86.
【24h】 The structure of B oriented GaP nanowires

包量

机译 <111> B取向的GaP纳米线的结构
- 作者：Jonas Johansson,Lisa S. Karlsson,C. Patrik T. Svensson,Thomas Martensson,Brent A. Wacaser,Knut Deppert,Lars Samuelson,Werner Seifert
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
87.
【24h】 Stacking, polarization control, and lasing of wavelength tunable (1.55μm region) InAs/InGaAsP/InP (100) quantum dots

包量

机译波长可调（1.55μm区域）InAs / InGaAsP / InP（100）量子点的堆叠，偏振控制和激光发射
- 作者：S. Anantathanasarn,R. Noetzel,P.J. van Veldhoven,F.W.M. van Otten,T.J. Eijkemans,Y. Barbarin,T. de Vries,E. Smalbrugge,E.J. Geluk,E.A.J.M. Bente,Y.S. Oei,M.K. Smit,J.H. Wolter
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
88.
【24h】 Reduction of threading dislocation density in Al_(0.12)Ga_(0.88)N epilayers by a multistep technique

包量

机译通过多步技术降低Al_（0.12）Ga_（0.88）N外延层的穿线位错密度
- 作者：T. Lang,M.A. Odnoblyudov,V.E. Bougrov,S. Suihkonen,O. Svensk,P.T. Toermae,M. Sopanen,H. Lipsanen
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
89.
【24h】 Evaluation of incorporation efficiency of group Ⅴ source gases in metal organic chemical vapor deposition of GaInNAs for high quality 1.21 μm quantum-well ridge wave guide lasers

包量

机译高质量1.21μm量子阱脊波导激光在GaInNAs的金属有机化学气相沉积中评估Ⅴ族气体的掺入效率
- 作者：Mitsuhiro Kushibe,Rei Hashimoto,Mizunori Ezaki,Gen-ichi Hatakoshi,Masao Nishioka,Yasuhiko Arakawa
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
90.
【24h】 Growth of AlN by vectored flow epitaxy

包量

机译向量流外延法生长AlN
- 作者：A.J. Clayton,A.A. Khandekar,T.F. Kuech,N.J. Mason,M.F. Robinson,S. Watkins,Y. Guo
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
91.
【24h】 Growth optimization during III-nitride multiwafer MOVPE using realtime curvature, reflectance and true temperature measurements

包量

机译使用实时曲率，反射率和真实温度测量，在III型氮化物多晶片MOVPE中进行生长优化
- 作者：F. Brunner,V. Hoffmann,A. Knauer,E. Steimetz,T. Schenk,J.-T. Zettler,M. Weyers
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
92.
【24h】 High reflectivity AlGaN/AlN DBR mirrors grown by MOCVD

包量

机译通过MOCVD生长的高反射率AlGaN / AlN DBR镜
- 作者：Z.L. Xie,R. Zhang,B. Liu,X.L. Ji,L. Li,C.X. Liu,R.L. Jiang,H.M. Gong,Hong Zhao,P. Han,Y. Shi,Y.D. Zheng
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
93.
【24h】 Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD

包量

机译通过低压流动调制MOCVD改善c面蓝宝石上N极AlN层的晶体质量
- 作者：M. Takeuchi,H. Shimizu,R. Kajitani,K. Kawasaki,Y. Kumagai,A. Koukitu,Y. Aoyagi
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
94.
【24h】 On the pyrophoricity, safety, and handling of metalorganic chemicals

包量

机译关于有机金属的自燃性，安全性和处理
- 作者：C.L. Andre,E. Bisinger,N. El-Zein,A. Luttmer,M.J.A. Van Mierlo,H.G. Wissink
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
95.
【24h】 nfluence of surface atom arrangement on the growth of InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces by metalorganic vapor-phase epitaxy

包量

机译金属有机气相外延对表面原子排列对GaAs（111）A和（111）B表面InN层生长的影响
- 作者：Hisashi Murakami, Jun-ichi Torii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
96.
【24h】 MOVPE growth, and magnetic and crystallographic studies of Zn_(1-x)V_xSe

包量

机译 Zn_（1-x）V_xSe的MOVPE生长以及磁和晶体学研究
- 作者：Masahiro Tahashi,Hideo Goto,Toshiyuki Ido
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
97.
【24h】 Crystal growth of ZnO on Si(1 1 1) by metalorganic vapor phase epitaxy

包量

机译金属有机气相外延法在Si（1 1 1）上生长ZnO晶体
- 作者：Takumi Moriyama, Shizuo Fujita
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
98.
【24h】 Mg_xZn_(1-x)O films grown by remote-plasma-enhanced MOCVD with EtCp_2Mg

包量

机译 EtCp_2Mg远程等离子体增强MOCVD生长的Mg_xZn_（1-x）O薄膜
- 作者：K. Yamamoto,K. Enomoto,A. Nakamura,T. Aoki,J. Temmyo
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第Jan期
99.
【24h】 Growth and spectroscopic properties of Nd~(3+): BaLaLiWO_6 crystal

包量

机译 Nd?（3+）：BaLaLiWO_6晶体的生长和光谱性质
- 作者：Dan Zhao, Zhoubin Lin, Lizhen Zhang, Guofu Wang
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第1期
100.
【24h】 Local epitaxial growth of (Pr_(0.7)Ca_(0.3))MnO_3 thin films on (111)-oriented polycrystalline Pt electrodes

包量

机译（111）取向多晶Pt电极上（Pr_（0.7）Ca_（0.3））MnO_3薄膜的局部外延生长
- 作者：Yuji Nishi, Toshimasa Suzuki, Hiroshi Koyama, Masayuki Fujimoto
- 刊名：Journal of Crystal Growth
- 2007年第1期

联系方式：18141920177 (微信同号)

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-1 六维联合信息科技 (北京) 有限公司?版权所有

客服微信
服务号

亚博yabo24_官网首页

<thead id="rfprx"><var id="rfprx"><output id="rfprx"></output></var></thead>

<form id="rfprx"></form>
<address id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></address>

<sub id="rfprx"><var id="rfprx"></var></sub>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></sub><form id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></form>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><ins id="rfprx"></ins></dfn></sub>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><ins id="rfprx"></ins></dfn></sub>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><ins id="rfprx"></ins></dfn></sub>

<address id="rfprx"><listing id="rfprx"><ins id="rfprx"></ins></listing></address>

<address id="rfprx"><dfn id="rfprx"><output id="rfprx"></output></dfn></address>

<address id="rfprx"><var id="rfprx"></var></address>

<address id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></address>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><output id="rfprx"></output></dfn></sub><form id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></form>

<thead id="rfprx"><var id="rfprx"><output id="rfprx"></output></var></thead>

<thead id="rfprx"><var id="rfprx"><output id="rfprx"></output></var></thead>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"><output id="rfprx"></output></dfn></sub>

<sub id="rfprx"><dfn id="rfprx"></dfn></sub>

<sub id="rfprx"><var id="rfprx"></var></sub>