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fengmian

Journal of Electronic Materials SCIEICA

中文名称：电子材料学报

ISSN：0361-5235
出版周期：

期刊论文

年度选择

2015
- 第1期
- 第2期
- 第3期
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2012
- 第1期
- 第2期
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- 第5期
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- 第7期
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2011
- 第1期
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2010
- 第1期
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- 第6期
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2009
- 第1期
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- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
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2008
- 第1期
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- 第4期
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- 第6期
- 第7期
- 第8期
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- 第10期
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2007
- 第1期
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- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
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- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2006
- 第8期
- 第12期

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1.
【6h】 A Cryo-XPS Study of Triammonium Citrate-KAuCl4-Na2SO3 Electroplating Solutions for Pb-Free Solder Packaging

包量

机译无铅焊料包装中柠檬酸三铵-KAuCl _{4 -Na _{2 SO _{3 电镀溶液的Cryo-XPS研究}}}
- 作者：Neda Dalili,Anqiang He,Qi Liu,Douglas G. Ivey
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
2.
【6h】 Electrodeposition of BixSb2?xTey Thermoelectric Films from DMSO Solution

包量

机译 DMSO溶液电沉积Bi _{x Sb _{2-x Te _{y 热电薄膜}}}
- 作者：Fei-Hui Li,Wei Wang,Jian-ping Gao
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
3.
【6h】 Effect of Thermoelectric and Electrical Properties on the Cooling Performance of a Micro Thermoelectric Cooler

包量

机译热电和电性能对微型热电冷却器冷却性能的影响
- 作者：Kong Hoon Lee,Hyunse Kim,Ook Joong Kim
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
4.
【6h】 High-Temperature Transport Properties of Yb4?xSmxSb3

包量

机译 Yb _{4-x Sm _{x Sb _{3 的高温输运性质}}}
- 作者：A. Chamoire,F. Gascoin,C. Estournès,T. Caillat,J.-C. Tédenac
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
5.
【6h】 Symmetry Analysis of Thermoelectric Energy Converters with Inhomogeneous Legs

包量

机译腿部不均匀的热电换能器的对称性分析
- 作者：M. A. Korzhuev
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
6.
【6h】 Organic Semiconductors for Thermoelectric Applications

包量

机译热电应用的有机半导体
- 作者：Manfred Scholdt,Hung Do,Johannes Lang,Andre Gall,Alexander Colsmann,Uli Lemmer,Jan D. Koenig,Markus Winkler,Harald Boettner
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
7.
【6h】 System Modeling and Validation of a Thermoelectric Fluidic Power Source: Proton Exchange Membrane Fuel Cell and Thermoelectric Generator (PEMFC-TEG)

包量

机译热电流体动力源的系统建模和验证：质子交换膜燃料电池和热电发生器（PEMFC-TEG）
- 作者：Min Chen,S?ren Juhl Andreasen,Lasse Rosendahl,S?ren Knudsen K?r,Thomas Condra
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
8.
【6h】 A Nonequilibrium Molecular Dynamics Study of In-Plane Thermal Conductivity of Silicon Thin Films

包量

机译硅薄膜平面内导热系数的非平衡分子动力学研究
- 作者：Tai-Ming Chang,Chien-Chou Weng,Mei-Jiau Huang
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
9.
【6h】 Thermal Conductivity Measurements on Challenging Samples by the 3 Omega Method

包量

机译用3 Omega方法测量具有挑战性的样品的热导率
- 作者：A. Jacquot,F. Vollmer,B. Bayer,M. Jaegle,D. G. Ebling,H. B?ttner
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
10.
【6h】 Structural and Thermoelectric Properties of Chimney–Ladder Compounds in the Ru-Mn-Si System

包量

机译 Ru-Mn-Si体系中烟囱-梯子化合物的结构和热电性质
- 作者：Norihiko L. Okamoto,Tatsuya Koyama,Kyosuke Kishida,Katsushi Tanaka,Haruyuki Inui
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
11.
【6h】 Fabrication of a Thermoelectric Nanocomposite via Multiple Roll Bonding of Cast Bi-22at.%Sb Alloy

包量

机译通过铸态Bi-22at。％Sb合金的多次辊压粘合制备热电纳米复合材料
- 作者：C. Fanciulli,M. Codecasa,G. Carcano,F. Passaretti,E. Villa,S. Besseghini,S. Ceresara
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
12.
【6h】 Thermal Comfort Study of a Compact Thermoelectric Air Conditioner

包量

机译紧凑型热电空调的热舒适性研究
- 作者：S. Maneewan,W. Tipsaenprom,C. Lertsatitthanakorn
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
13.
【6h】 Hybrid Thermoelectric–Photovoltaic Generators in Wireless Electroencephalography Diadem and Electrocardiography Shirt

包量

机译无线脑电图王冠和心电图衫中的混合式热电-光伏发电机
- 作者：Vladimir Leonov,Tom Torfs,Ruud J. M. Vullers,Chris Van Hoof
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
14.
【6h】 Synthesis and Characterization of New Ceramic Thermoelectrics Implemented in a Thermoelectric Oxide Module

包量

机译在热电氧化物?？橹惺迪值男滦吞沾扇鹊绮牧系暮铣捎氡碚?/span>
- 作者：P. Tome?,R. Robert,M. Trottmann,L. Bocher,M. H. Aguirre,A. Bitschi,J. Hejtmánek,A. Weidenkaff
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
15.
【6h】 Power Properties of the Transverse Short-Circuited Thermoelement

包量

机译横向短路热电偶的功率特性
- 作者：L. I. Anatychuk,R. R. Kobylyansky
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
16.
【6h】 High-Performance (AgxSbTex/2+1.5)15(GeTe)85 Thermoelectric Materials Prepared by Melt Spinning

包量

机译高性能（Ag _{x SbTe _{x / 2 + 1.5 ）_{15 （GeTe）_{85 的热电材料熔纺}}}}
- 作者：Y. Chen,T. J. Zhu,S. H. Yang,S. N. Zhang,W. Miao,X. B. Zhao
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
17.
【6h】 Design of a Concentration Solar Thermoelectric Generator

包量

机译集中式太阳能热电发电机的设计
- 作者：Peng Li,Lanlan Cai,Pengcheng Zhai,Xinfeng Tang,Qingjie Zhang,M. Niino
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
18.
【6h】 Module Geometry and Contact Resistance of Thermoelectric Generators Analyzed by Multiphysics Simulation

包量

机译多物理场仿真分析热电发电机?？榈募负涡巫春徒哟サ缱?/span>
- 作者：D. Ebling,K. Bartholomé,M. Bartel,M. J?gle
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
19.
【6h】 Electronic Structure and Thermoelectric Properties of Al-Mn-Fe-Si Alloys

包量

机译 Al-Mn-Fe-Si合金的电子结构和热电性能
- 作者：T. Takeuchi,Y. Toyama,H. Hazama,R. Asahi
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
20.
【6h】 Effect of Ionic Radius and Resultant Two-Dimensionality of Phonons on Thermal Conductivity in MxCoO2 (M = Li, Na, K) by Perturbed Molecular Dynamics

包量

机译扰动分子动力学研究离子半径和声子二维对M _{x CoO _{2 （M = Li，Na，K）中热导率的影响}}
- 作者：Masahiro Tada,Masato Yoshiya,Hideyuki Yasuda
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
21.
【6h】 Modeling a Thermoelectric Generator Applied to Diesel Automotive Heat Recovery

包量

机译建模用于柴油汽车热量回收的热电发电机
- 作者：N. Espinosa,M. Lazard,L. Aixala,H. Scherrer
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
22.
【6h】 Optimization of the Heat Exchangers of a Thermoelectric Generation System

包量

机译热电发电系统换热器的优化
- 作者：A. Martínez,J. G. Vián,D. Astrain,A. Rodríguez,I. Berrio
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
23.
【6h】 ICT/ECT Proceedings: Foreword

包量

机译 ICT / ECT程序：前言
- 作者：
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
24.
【6h】 Electrical and Structural Real-Time Changes in Thin Thermoelectric (Bi0.15Sb0.85)2Te3 Films by Dynamic Thermal Treatment

包量

机译薄膜热电（Bi _{0.15 Sb _{0.85 ）_{2 Te _{3 薄膜的电和结构实时动态变化热处理}}}}
- 作者：K. Rothe,M. Stordeur,F. Heyroth,F. Syrowatka,H. S. Leipner
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
25.
【6h】 Pulsed Electroplating: a Derivate Form of Electrodeposition for Improvement of (Bi1?xSbx)2Te3 Thin Films

包量

机译脉冲电镀：用于改进（Bi _{1-x Sb _{x ）_{2 Te _{3 的一种电沉积形式薄膜}}}}
- 作者：Virginie Richoux,Sebastien Diliberto,Clotilde Boulanger
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
26.
【6h】 Self-Consistent Drift–Diffusion Transport in Thermoelectrics and Implications for Measuring the Scattering Parameter

包量

机译热电中的自洽漂移扩散传输及其对散射参数的测量意义
- 作者：Parthiban Santhanam,Rajeev J. Ram
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
27.
【6h】 Thermal Conductivity Reduction in CoSb3–CeO2 Nanocomposites

包量

机译 CoSb _{3 –CeO _{2 纳米复合材料的导热系数降低}}
- 作者：E. Alleno,L. Chen,C. Chubilleau,B. Lenoir,O. Rouleau,M. F. Trichet,B. Villeroy
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
28.
【6h】 Thermoelectric Properties of Ag-doped Mg2Ge Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering

包量

机译磁控溅射制备Ag掺杂Mg _{2 Ge薄膜的热电性能}
- 作者：L. Chuang,N. Savvides,T. T. Tan,S. Li
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
29.
【6h】 Preparation of Mg2Si1?xSnx by Induction Melting and Spark Plasma Sintering, and Thermoelectric Properties

包量

机译感应熔炼和火花等离子体烧结制备Mg _{2 Si _{1-x Sn _{x 及其热电性能}}}
- 作者：Xin Zhang,Qing-mei Lu,Lei Wang,Fei-peng Zhang,Jiu-xing Zhang
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
30.
【6h】 Preparation and Thermoelectric Characterization of SiC-B4C Composites

包量

机译 SiC-B _{4 C复合材料的制备及热电特性}
- 作者：Volkmar Lankau,Hans-Peter Martin,Renate Hempel-Weber,Niels Oeschler,Alexander Michaelis
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
31.
【6h】 The Power Factor of Bi2?xTlxSe3 Single Crystals

包量

机译 Bi _{2-x Tl _{x Se _{3 单晶的功率因数}}}
- 作者：P. Janicek,C. Drasar,L. Benes,P. Lostak
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
32.
【6h】 Structural Phase Transitions and Thermoelectric Properties of AgPb18SbTe20 Under Compression

包量

机译 AgPb _{18 SbTe _{20 在压缩下的结构相变和热电性能}}
- 作者：Ravhi S. Kumar,Mahalingam Balasubramanian,Matthew Jacobsen,Arunkumar Bommannavar,Mercouri Kanatzidis,Seiji Yoneda,Andrew L. Cornelius
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
33.
【6h】 Natural Microstructure and Thermoelectric Performance of (GeTe)80(AgySb2?yTe3?y)20

包量

机译（GeTe）_{80 （Ag _{y Sb _{2-y Te _{3-y ）的自然微观结构和热电性能₂₀}}}}
- 作者：S. H. Yang,T. J. Zhu,S. N. Zhang,J. J. Shen,X. B. Zhao
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
34.
【6h】 Crystal Structure and High-Temperature Thermoelectric Properties of the Mo3?xRuxSb7 Compounds

包量

机译 Mo _{3-x Ru _{x Sb _{7 化合物的晶体结构和高温热电性质}}}
- 作者：C. Candolfi,J. Leszczynski,P. Masschelein,C. Chubilleau,B. Lenoir,A. Dauscher,E. Guilmeau,J. Hejtmanek,S. J. Clarke,R. I. Smith
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
35.
【6h】 Synthesis and Electrical Properties of γ-NaxCo2O4 via a Citrate Sol–Gel Method with Polyethylene Glycol 400

包量

机译聚乙二醇400柠檬酸溶胶-凝胶法合成γ-Na_{x Co _{2 O _{4 及其电性能}}}
- 作者：Li Zhang,Xinfeng Tang,Wenbin Gao
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
36.
【6h】 Progress Report on BSST-Led US Department of Energy Automotive Waste Heat Recovery Program

包量

机译由BSST领导的美国能源部汽车废热回收计划的进度报告
- 作者：D. T. Crane,J. W. LaGrandeur
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
37.
【6h】 Molecular Dynamics Simulation of Mechanical Properties of Single-Crystal Bismuth Telluride Nanowire

包量

机译单晶碲化铋纳米线力学性能的分子动力学模拟
- 作者：Y. Tong,F. J. Yi,L. S. Liu,Q. J. Zhang
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
38.
【6h】 Preparation and Thermoelectric Properties of Nanoporous Bi2Te3-Based Alloys

包量

机译纳米多孔Bi _{2 Te _{3 基合金的制备及热电性能}}
- 作者：Y. H. Zhang,G. Y. Xu,F. Han,Z. Wang,C. C. Ge
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
39.
【6h】 Potential for Usage of Thermoelectric Generators on Ships

包量

机译船上使用热电发电机的潜力
- 作者：N.R. Kristiansen,H.K. Nielsen
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
40.
【6h】 Synthesis and Thermoelectric Properties of InzCo4?xFexSb12 Skutterudites

包量

机译 In _{z Co _{4-x Fe _{x Sb _{12 方钴矿的合成及热电性能}}}}
- 作者：Kwan-Ho Park,Jae-Yong Jung,Soon-Chul Ur,Il-Ho Kim
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
41.
【6h】 Low-Temperature Transport Properties of InxFeyCo4?ySb12

包量

机译县_{4 Sub _{12 对In _{x Fem _{的低温输运性质}}}}
- 作者：J. Leszczynski,A. Dauscher,P. Masschelein,B. Lenoir
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
42.
【6h】 Isotopic Superlattices for Perfect Phonon Reflection

包量

机译同位素超晶格可实现完美的声子反射
- 作者：G. Bastian,A. Vogelsang,C. Schiffmann
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
43.
【6h】 Eutectic Microstructure and Thermoelectric Properties of Mg2Sn

包量

机译 Mg _{2 Sn的共晶组织和热电性能}
- 作者：H. Y. Chen,N. Savvides
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
44.
【6h】 Catalytic Generators: Current Status

包量

机译催化发生器：当前状态
- 作者：L. I. Anatychuk,L. T. Strutynska,V. Ya. Mykhailovsky
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
45.
【6h】 Thermal Stability of Barium and Indium Double-Filled Skutterudite Ba0.3In0.2Co3.95Ni0.05Sb12 Coated by SiO2 Nanoparticles

包量

机译钡和铟双填充方钴矿的热稳定性Ba _{0.3 In _{0.2 Co _{3.95 Ni _{0.05 Sb _{SiO _{2 纳米颗粒包覆的12}}}}}}
- 作者：Ping Wei,Wen-Yu Zhao,Chun-Lei Dong,Bing Ma,Qing-Jie Zhang
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
46.
【6h】 Improved Thermoelectric Performance of Higher Manganese Silicides with Ge Additions

包量

机译添加锗改善高锰硅化物的热电性能
- 作者：A. J. Zhou,T. J. Zhu,X. B. Zhao,S. H. Yang,T. Dasgupta,C. Stiewe,R. Hassdorf,E. Mueller
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
47.
【6h】 Reduced Grain Size and Improved Thermoelectric Properties of Melt Spun (Hf,Zr)NiSn Half-Heusler Alloys

包量

机译熔融纺丝（Hf，Zr）NiSn半霍斯勒合金的晶粒减小和热电性能提高
- 作者：Cui Yu,Tie-Jun Zhu,Kai Xiao,Jun-Jie Shen,Sheng-Hui Yang,Xin-Bing Zhao
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
48.
【6h】 Encapsulated Thermoelectric Modules and Compliant Pads for Advanced Thermoelectric Systems

包量

机译先进热电系统的封装热电?？楹图嫒莺概?/span>
- 作者：Mitsuru Kambe,Takahiro Jinushi,Zenzo Ishijima
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
49.
【6h】 Thermoelectric Properties of the Clathrate I Ba8Ge43□3

包量

机译包合物I Ba _{8 Ge _{43 □_{3 的热电性质}}}
- 作者：C. Candolfi,U. Aydemir,M. Baitinger,N. Oeschler,F. Steglich,Yu. Grin
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
50.
【6h】 Electrodeposition and Characterization of Bismuth Telluride Nanowires

包量

机译碲化铋纳米线的电沉积和表征
- 作者：C. Frantz,N. Stein,L. Gravier,S. Granville,C. Boulanger
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
51.
【6h】 Highly Efficient Ge-Rich GexPb1?xTe Thermoelectric Alloys

包量

机译高效锗富Ge _{x Pb _{1-x Te热电合金}}
- 作者：Yaniv Gelbstein,Boaz Dado,Ohad Ben-Yehuda,Yatir Sadia,Zinovy Dashevsky,Moshe P. Dariel
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
52.
【6h】 Thermoelectric Properties of Nanograined ZnO

包量

机译纳米ZnO的热电性能
- 作者：Yoshiaki Kinemuchi,Masashi Mikami,Keizo Kobayashi,Koji Watari,Yuji Hotta
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
53.
【6h】 Mg-Vacancy-Induced Semiconducting Properties in Mg2Si1–xSbx from Electronic Structure Calculations

包量

机译电子结构计算中Mg _{2 Si _{1–x Sb _{x 中Mg的空位诱导半导体性质}}}
- 作者：Janusz Tobola,Stanislaw Kaprzyk,Hubert Scherrer
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
54.
【6h】 Features of the Behavior of the Figure of Merit for p-Type Solid Solutions Based on Bismuth and Antimony Chalcogenides

包量

机译基于铋和锑硫属元素化物的p型固溶体的品质因数行为特征
- 作者：L. N. Lukyanova,V. A. Kutasov,P. P. Konstantinov,V. V. Popov
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
55.
【6h】 Skutterudites: Thermoelectric Materials for Automotive Applications?

包量

机译 Skutterudites：用于汽车的热电材料？
- 作者：K. Salzgeber,P. Prenninger,A. Grytsiv,P. Rogl,E. Bauer
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
56.
【6h】 Electronic Structures and Transport Properties of Single-Filled CoSb3

包量

机译单填充CoSb _{3 的电子结构和输运性质}
- 作者：An Zhou,Li-sheng Liu,Peng-cheng Zhai,Wen-yu Zhao,Qing-jie Zhang
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第9期
57.
【6h】 The Phenomenology of Ion Implantation-Induced Blistering and Thin-Layer Splitting in Compound Semiconductors

包量

机译复合半导体中离子注入引起的起泡和薄层分裂的现象学
- 作者：R. Singh,S. H. Christiansen,O. Moutanabbir,U. G?sele
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
58.
【6h】 Dislocation Clustering and Luminescence Nonuniformity in Bulk GaN and Its Homoepitaxial Film

包量

机译块状GaN及其同质外延薄膜中的位错聚集和发光不均匀性。
- 作者：Fuxue Wang,Hai Lu,Xiangqian Xiu,Dunjun Chen,Rong Zhang,Youdou Zheng
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
59.
【6h】 Exact Analytical Solution for the Critical Layer Thickness of a Lattice-Mismatched Heteroepitaxial Layer

包量

机译晶格不匹配的异质外延层的临界层厚度的精确解析解
- 作者：C. Hadj Belgacem,M. Fnaiech
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
60.
【6h】 Effect of Cooling Rate on Microstructural Homogeneity and Grain Size of n-Type Si-Ge Thermoelectric Alloy by Melt Spinning

包量

机译冷却速率对熔体纺制n型Si-Ge热电合金显微组织均匀性和晶粒尺寸的影响
- 作者：Pan Zhang,Zhong Wang,Hui Chen,Haijun Yu,Lei Zhu,Xuyu Jian
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
61.
【6h】 Void Growth Behavior in ULSI Cu Interconnections by Grain-Boundary Diffusion Simulation

包量

机译晶界扩散模拟在ULSI Cu互连中的空洞生长行为
- 作者：Takashi Onishi,Masao Mizuno,Tetsuya Yoshikawa,Jun Munemasa,Takao Inoue,Aki Miyagaki,Hisashi Nakamoto
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
62.
【6h】 Viscoplastic Creep Response and Microstructure of As-Fabricated Microscale Sn-3.0Ag-0.5Cu Solder Interconnects

包量

机译制成的微型Sn-3.0Ag-0.5Cu焊料互连的粘塑性蠕变响应和微观结构
- 作者：Gayatri Cuddalorepatta,Maureen Williams,Abhijit Dasgupta
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
63.
【6h】 Thermodynamic Properties of Liquid Ag-Au-Sn Alloys

包量

机译液态Ag-Au-Sn合金的热力学性质
- 作者：M. Hindler,S. Knott,A. Mikula
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
64.
【6h】 Large-Scale Synthesis of Graphene Films by Joule-Heating-Induced Chemical Vapor Deposition

包量

机译焦耳加热诱导化学气相沉积法大规模合成石墨烯薄膜
- 作者：Jung Min Lee,Hae Yong Jeong,Won Il Park
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
65.
【6h】 Surface-Modified Titania Nanoparticles with Conjugated Polymer for Hybrid Photovoltaic Devices

包量

机译用于混合光伏器件的具有共轭聚合物的表面改性二氧化钛纳米粒子
- 作者：Hongwei Geng,Ruixiang Peng,Shikui Han,Xiaohong Gu,Mingtai Wang
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
66.
【6h】 Single-Crystalline Silicon Layer Transfer to a Flexible Substrate Using Wafer Bonding

包量

机译使用晶圆键合将单晶硅层转移到柔性基板上
- 作者：Ki Yeol Byun,Isabelle Ferain,Scott Song,Susan Holl,Cindy Colinge
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
67.
【6h】 In Situ Raman Analysis of a Bulk GaN-Based Schottky Rectifier Under Operation

包量

机译工作状态下基于体GaN的肖特基整流器的原位拉曼分析
- 作者：Hui Xu,Siddharth Alur,Yaqi Wang,An-Jen Cheng,Kilho Kang,Yogeshkumar Sharma,Minseo Park,Claude Ahyi,John Williams,Chaokang Gu
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
68.
【6h】 Study of LDPE/TiO2 and PS/TiO2 Composites as Potential Substrates for Microstrip Patch Antennas

包量

机译 LDPE / TiO _{2 和PS / TiO _{2 复合材料作为微带贴片天线潜在衬底的研究}}
- 作者：Debashis Sarmah,Juti R. Deka,Satyajib Bhattacharyya,Nidhi S. Bhattacharyya
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
69.
【6h】 AlGaSb Buffer Layers for Sb-Based Transistors

包量

机译用于基于锑的晶体管的AlGaSb缓冲层
- 作者：Brian R. Bennett,Saara A. Khan,J. Brad Boos,Nicolas A. Papanicolaou,Vladimir V. Kuznetsov
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
70.
【6h】 Improved Synthesis of Superconducting Carbon-Doped MgB2 Using a Biopolymer for Simultaneous Crystallite Size Control and Chemical Reduction

包量

机译使用生物聚合物同时控制晶粒尺寸和化学还原的改进的超导碳掺杂MgB _{2 的合成}
- 作者：Simon R. Hall,Jemima L. F. Howells,Stuart C. Wimbush
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
71.
【6h】 Analysis of Ultraviolet Curing Effect on the Dielectric Constant and Molecular Structure of a Porous Dielectric Film

包量

机译紫外线固化对多孔介电膜介电常数和分子结构的影响分析
- 作者：Ryan Scott Smith,Ting Tsui,Paul S. Ho
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
72.
【6h】 Effect of Al-Trace Width on the Electromigration Failure Time of Flip-Chip Solder Joints

包量

机译铝迹线宽度对倒装芯片焊点电迁移失效时间的影响
- 作者：S. W. Liang,H. Y. Hsiao,Chih Chen
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
73.
【6h】 Study of Short- and Long-Term Effectiveness of Ammonium Sulfide as Surface Passivation for InAs/GaSb Superlattices Using X-Ray Photoelectron Spectroscopy

包量

机译 X射线光电子能谱研究硫化铵作为InAs / GaSb超晶格表面钝化的短期和长期有效性
- 作者：Koushik Banerjee,Siddhartha Ghosh,Elena Plis,Sanjay Krishna
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
74.
【6h】 High-Performance MWIR/LWIR Dual-Band 640 × 480 HgCdTe/Si FPAs

包量

机译高性能MWIR / LWIR双频640×480 HgCdTe / Si FPA
- 作者：E. A. Patten,P. M. Goetz,M. F. Vilela,K. Olsson,D. D. Lofgreen,J. G. Vodicka,S. M. Johnson
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
75.
【6h】 Numerical Modeling of IR-Laser-Irradiated HgCdTe

包量

机译红外激光辐照HgCdTe的数值模拟
- 作者：Asta Katrine Storebo,Trond Brudevoll,Knut Stenersen
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
76.
【6h】 Room-Temperature Preparation of High-Transparency Low-Resistivity ITO Films by Ion Beam Sputtering

包量

机译离子束溅射在室温下制备高透明度低电阻率ITO薄膜
- 作者：Jung-Hsiung Shen,Sung-Wei Yeh,Dershin Gan,Koho Yang,Hsing-Lu Huang,Shih-Wei Mao
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
77.
【6h】 Study of Surface Treatments on InAs/GaSb Superlattice LWIR Detectors

包量

机译 InAs / GaSb超晶格LWIR探测器的表面处理研究
- 作者：M. N. Kutty,E. Plis,A. Khoshakhlagh,S. Myers,N. Gautam,S. Smolev,Y. D. Sharma,R. Dawson,S. Krishna,S. J. Lee
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
78.
【6h】 Electrically Conductive Thick Film Made from Silver Alkylcarbamates

包量

机译由烷基氨基甲酸银制成的导电厚膜
- 作者：Jianguo Liu,Xiangyou Li,Xiaoye Wang,Xiaoyan Zeng
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
79.
【6h】 High-Temperature Resistant Intermetallic Compound Joints for Si Chips and Cu Substrates

包量

机译用于硅芯片和铜基板的耐高温金属间化合物接头
- 作者：Toshihide Takahashi,Shuichi Komatsu,Hiroshi Nishikawa,Tadashi Takemoto
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
80.
【6h】 Intermetallic Compound Growth and Reliability of Cu Pillar Bumps Under Current Stressing

包量

机译电流应力下铜柱凸点的金属间化合物生长及其可靠性
- 作者：Byoung-Joon Kim,Gi-Tae Lim,Jaedong Kim,Kiwook Lee,Young-Bae Park,Ho-Young Lee,Young-Chang Joo
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
81.
【6h】 Interfacial Reactions and Joint Strengths of Sn-xZn Solders with Immersion Ag UBM

包量

机译浸银Ag UBM的Sn-xZn焊料的界面反应和接头强度
- 作者：Y. K. Jee,Jin Yu
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
82.
【6h】 Thermal Aging Effects on Cu Ball Shear Strength and Cu/Al Intermetallic Growth

包量

机译热时效对铜球剪切强度和Cu / Al金属间生长的影响
- 作者：Jose Omar S. Amistoso,Alberto V. Amorsolo
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第10期
83.
【6h】 Elastic Moduli of (Ni,Cu)3Sn4 Ternary Alloys from First-Principles Calculations

包量

机译（Ni，Cu）_{3 Sn _{4 三元合金的弹性模量从第一性原理计算}}
- 作者：Feng Gao,Jianmin Qu
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
84.
【6h】 Study of Interfacial Reactions Between Sn(Cu) Solders and Ni-Co Alloy Layers

包量

机译 Sn（Cu）焊料与Ni-Co合金层之间界面反应的研究
- 作者：K. C. Huang,F. S. Shieu,T. S. Huang,C. T. Lu,C. W. Chen,H. W. Tseng,S. L. Cheng,C. Y. Liu
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
85.
【6h】 Interfacial Reactions of Sn-58Bi and Sn-9Zn Lead-Free Solders with Au/Ni/SUS304 Multilayer Substrate

包量

机译 Sn-58Bi和Sn-9Zn无铅焊料与Au / Ni / SUS304多层基板的界面反应
- 作者：Yee-Wen Yen,Da-Wei Liaw,Kuen-Da Chen,Hao Chen
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
86.
【6h】 Effects on Undercooling and Interfacial Reactions with Cu Substrates of Adding Bi and In to Sn-3Ag Solder

包量

机译 Sn-3Ag焊料中添加Bi和In对Cu基底的过冷和界面反应的影响
- 作者：Yu-Yan Chiang,Robbin Cheng,Albert T. Wu
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
87.
【6h】 High-Temperature Capacitor Based on Ca-Doped Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3 Ceramics

包量

机译基于Ca掺杂的Bi _{0.5 Na _{0.5 TiO _{3 -BaTiO _{3 陶瓷的高温电容器}}}}
- 作者：Y. Yuan,X. H. Zhou,C. J. Zhao,B. Li,S. R. Zhang
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
88.
【6h】 Electrical and Optical Characterization of AlGaN/GaN HEMTs with In Situ and Ex Situ Deposited SiNx Layers

包量

机译原位和非原位沉积SiN _{x 层的AlGaN / GaN HEMT的电学和光学特性}
- 作者：Marko J. Tadjer,Travis J. Anderson,Karl D. Hobart,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite,Joshua D. Caldwell,Yoosuf N. Picard,Fritz J. Kub,Charles R. Eddy
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
89.
【6h】 Optimal Electrical Conductivity for Maximum Thermoelectric Figure of Merit

包量

机译最佳电导率可实现最大热电性能
- 作者：Gao Min
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
90.
【6h】 Light-Harvesting in n-ZnO/p-Silicon Heterojunctions

包量

机译 n-ZnO / p-硅异质结中的聚光
- 作者：L. Li,C. X. Shan,B. H. Li,B. Yao,D. Z. Shen,B. Chu,Y. M. Lu
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
91.
【6h】 Interfacial Reaction Effect on Electrical Reliability of Cu Pillar/Sn Bumps

包量

机译界面反应对Cu柱/ Sn凸块电可靠性的影响
- 作者：Myeong-Hyeok Jeong,Gi-Tae Lim,Byoung-Joon Kim,Ki-Wook Lee,Jae-Dong Kim,Young-Chang Joo,Young-Bae Park
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
92.
【6h】 Investigation of Void Nucleation and Propagation in the Joule Heating Effect During Electromigration in Flip-Chip Solder Joints

包量

机译倒装芯片焊点电迁移过程中焦耳热效应中空隙形核和传播的研究
- 作者：Y. W. Chang,S. H. Chiu,Chih Chen
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
93.
【6h】 The Application of Barrierless Metallization in Making Copper Alloy, Cu(RuHfN), Films for Fine Interconnects

包量

机译无障碍金属化在制备铜合金亚博yabo24_官网首页，Cu（RuHfN），精细互连薄膜中的应用
- 作者：C.H. Lin,W.K. Leau,C.H. Wu
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
94.
【6h】 In Situ Temperature Measurement of GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Micro-Raman Spectroscopy

包量

机译显微拉曼光谱法原位测量GaN基紫外发光二极管的温度
- 作者：Yaqi Wang,Hui Xu,Siddharth Alur,Yogesh Sharma,An-Jen Cheng,Kilho Kang,Ryan Josefsberg,Minseo Park,Sharukh Sakhawat,Arindra N. Guha
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
95.
【6h】 Foreword

包量

机译前言
- 作者：
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
96.
【6h】 Control of Interface Traps in HfO2 Gate Dielectric on Silicon

包量

机译硅上HfO _{2 栅介质中界面陷阱的控制}
- 作者：S. Y. Tan
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
97.
【6h】 Co Solubility in Sn and Interfacial Reactions in Sn-Co/Ni Couples

包量

机译 Sn中的Co溶解度和Sn-Co / Ni对中的界面反应
- 作者：Sinn-wen Chen,Yu-kai Chen,Hsin-jay Wu,Yu-chih Huang,Chih-ming Chen
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
98.
【6h】 Influence of Palladium Thickness on the Soldering Reactions Between Sn-3Ag-0.5Cu and Au/Pd(P)/Ni(P) Surface Finish

包量

机译钯厚度对Sn-3Ag-0.5Cu与Au / Pd（P）/ Ni（P）表面处理之间钎焊反应的影响
- 作者：W. H. Wu,C. S. Lin,S. H. Huang,C. E. Ho
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
99.
【6h】 Growth Mechanism of a Ternary (Cu,Ni)6Sn5 Compound at the Sn(Cu)/Ni(P) Interface

包量

机译（Cu，Ni）_{6 Sn _{5 化合物在Sn（Cu）/ Ni（P）界面上的生长机理}}
- 作者：T. S. Huang,H. W. Tseng,C. T. Lu,Y. H. Hsiao,Y. C. Chuang,C. Y. Liu
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期
100.
【6h】 Study of the Effects of Zn Content on the Interfacial Reactions Between Sn-Zn Solders and Ni Substrates at 250°C

包量

机译 Zn含量对Sn-Zn焊料与Ni基体在250℃下界面反应的影响
- 作者：Chao-hong Wang,Hsien-hsin Chen
- 刊名：Journal of Electronic Materials
- 2010年第11期

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